casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VS-GBPC3512W
codice articolo del costruttore | VS-GBPC3512W |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GBPC3512W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GBPC3512W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GBPC3512W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GBPC3512W-FT |
E-L6210
STMicroelectronics
L6210
STMicroelectronics
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division
UC3610N
Texas Instruments
UC2610N
Texas Instruments
UC2610NG4
Texas Instruments
UC3610NG4
Texas Instruments
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel