casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VS-GBPC3508W
codice articolo del costruttore | VS-GBPC3508W |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GBPC3508W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GBPC3508W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GBPC3508W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GBPC3508W-FT |
E-L6210
STMicroelectronics
L6210
STMicroelectronics
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division
UC3610N
Texas Instruments
UC2610N
Texas Instruments
UC2610NG4
Texas Instruments
UC3610NG4
Texas Instruments
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
EP20K400FC672-3
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
Intel
EP20K160EBC356-1N
Intel