casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VS-FC80NA20
codice articolo del costruttore | VS-FC80NA20 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-FC80NA20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-FC80NA20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 108A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10720pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 405W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-FC80NA20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-FC80NA20-FT |
IRF830AL
Vishay Siliconix
IRF830L
Vishay Siliconix
IRF840AL
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IRF840L
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IRF9510L
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IRF9610L
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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Microsemi Corporation
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5SGXEA9N2F45I2N
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