casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-EBU8006HF4
codice articolo del costruttore | VS-EBU8006HF4 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-EBU8006HF4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-EBU8006HF4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 80A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.53V @ 80A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 8µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | PowerTab® |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerTab® |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-EBU8006HF4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-EBU8006HF4-FT |
VS-307UA250P4
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA250P4
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-309U160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-309U250
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel