casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8TQ100-M3
codice articolo del costruttore | VS-8TQ100-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8TQ100-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-8TQ100-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 550µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ100-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8TQ100-M3-FT |
RMPG06JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMPG06KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB020-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB020-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB030-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB030-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB040-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB040-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB040-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation