casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8EWF10S-M3
codice articolo del costruttore | VS-8EWF10S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8EWF10S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-8EWF10S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 270ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWF10S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8EWF10S-M3-FT |
IDK05G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK06G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK08G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK09G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK10G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK12G65C5XTMA2
Infineon Technologies
SCS206AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS208AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS212AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS215AJHRTLL
Rohm Semiconductor
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel