casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8EWF02S-M3
codice articolo del costruttore | VS-8EWF02S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8EWF02S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-8EWF02S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 55ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWF02S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8EWF02S-M3-FT |
IDK03G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK04G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK05G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK06G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK08G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK09G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK10G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK12G65C5XTMA2
Infineon Technologies
SCS206AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS208AJHRTLL
Rohm Semiconductor
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel