casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-87HFR120M
codice articolo del costruttore | VS-87HFR120M |
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Numero di parte futuro | FT-VS-87HFR120M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-87HFR120M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 85A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 267A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-87HFR120M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-87HFR120M-FT |
VS-42HFR40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42HFR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42HFR80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42HFR80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45L10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45L20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45L40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45L60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45LR10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45LR20
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel