casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-6CWH02FN-M3
codice articolo del costruttore | VS-6CWH02FN-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-6CWH02FN-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-6CWH02FN-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6CWH02FN-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-6CWH02FN-M3-FT |
BAT41SWFILM
STMicroelectronics
BAT46CWFILM
STMicroelectronics
BAT46SWFILM
STMicroelectronics
BAT5405WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6404WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6405WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6406WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV 70W E6433
Infineon Technologies
BAV 99W H6327
Infineon Technologies
BAV 99W H6433
Infineon Technologies
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel