casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VS-36MB80A
codice articolo del costruttore | VS-36MB80A |
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Numero di parte futuro | FT-VS-36MB80A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-36MB80A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, D-34 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-34 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-36MB80A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-36MB80A-FT |
DF1501S/27
Vishay Semiconductor Diodes Division
EDF1AS/27
Vishay Semiconductor Diodes Division
EDF1DS/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MT10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-26MT60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MT120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MT60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MT80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MT100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-26MT20
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel