casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VS-35MT120PB
codice articolo del costruttore | VS-35MT120PB |
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Numero di parte futuro | FT-VS-35MT120PB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-35MT120PB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 7-MTPB |
Pacchetto dispositivo fornitore | 7-MTPB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-35MT120PB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-35MT120PB-FT |
DF1506S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1510S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF10SA-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF01S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF04S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF005S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF005SA-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF04S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1502S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1504S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel