casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-32CTQ030STRRHM3
codice articolo del costruttore | VS-32CTQ030STRRHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-32CTQ030STRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-32CTQ030STRRHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.75mA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ030STRRHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-32CTQ030STRRHM3-FT |
VS-HFA08TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel