casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-32CTQ030STRRHM3
codice articolo del costruttore | VS-32CTQ030STRRHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-32CTQ030STRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-32CTQ030STRRHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.75mA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ030STRRHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-32CTQ030STRRHM3-FT |
VS-HFA08TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel