casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-31DQ10TR
codice articolo del costruttore | VS-31DQ10TR |
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Numero di parte futuro | FT-VS-31DQ10TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-31DQ10TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | C-16, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | C-16 |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-31DQ10TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-31DQ10TR-FT |
8ETX06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300U60A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300UR60A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-400U160D
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300U40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400N24PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-400U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300U20A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-240U100D
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-240U60D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel