casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-30CTQ050-N3
codice articolo del costruttore | VS-30CTQ050-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30CTQ050-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-30CTQ050-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ050-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30CTQ050-N3-FT |
UG18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG18DCT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8HCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8HCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel