casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-30CTQ035HN3
codice articolo del costruttore | VS-30CTQ035HN3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30CTQ035HN3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ035HN3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ035HN3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30CTQ035HN3-FT |
VS-MBR3045WTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR40L15CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS40L15CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS40L45CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2045CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel