casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-2EGH01-M3/5BT
codice articolo del costruttore | VS-2EGH01-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-2EGH01-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-2EGH01-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 23ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMBJ) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EGH01-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-2EGH01-M3/5BT-FT |
RS2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2DHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2DHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2GHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2GHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2JHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2JHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel