casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VS-26MT10
codice articolo del costruttore | VS-26MT10 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-26MT10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-26MT10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 5-Square, D-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-26MT10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-26MT10-FT |
GBPC3502/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3504/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3506/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3508/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3510/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF10SA-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF02S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF08S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1506S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1510S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel