casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / VS-25RIA120
codice articolo del costruttore | VS-25RIA120 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-25RIA120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-25RIA120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 1.2kV |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 60mA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 25A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 40A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 130mA |
Corrente - Off Stato (max) | 10mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 420A, 440A |
SCR Type | Standard Recovery |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | TO-208AA, TO-48-3, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-208AA (TO-48) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-25RIA120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-25RIA120-FT |
IXHH40N150HV
IXYS
CLA50E1200HB
IXYS
CLA30E1200HB
IXYS
CMA30E1600PN
IXYS
CMA30E1600PB
IXYS
CS19-08HO1
IXYS
CS19-12HO1
IXYS
CLA30E1200PB
IXYS
CS22-12IO1M
IXYS
CS22-08IO1M
IXYS
XC3S1500-5FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6N
Intel
EP2AGX45DF25C4
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
LFEC10E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel