casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-20TQ045S-M3
codice articolo del costruttore | VS-20TQ045S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20TQ045S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20TQ045S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.7mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20TQ045S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20TQ045S-M3-FT |
VS-20ETF06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel