casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-20CTQ040-N3
codice articolo del costruttore | VS-20CTQ040-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20CTQ040-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20CTQ040-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CTQ040-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20CTQ040-N3-FT |
UF10BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF10CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF10DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCT-5300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCT-5301HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel