casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-1N1185R
codice articolo del costruttore | VS-1N1185R |
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Numero di parte futuro | FT-VS-1N1185R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-1N1185R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 110A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N1185R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-1N1185R-FT |
VSKEL240-20S30
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKEL240-25S30
Vishay Semiconductor Diodes Division
243NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3890
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3881
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3673A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1206RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1206A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1204A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1203RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel