casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-15TT100
codice articolo del costruttore | VS-15TT100 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-15TT100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-15TT100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 120µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 550pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-15TT100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-15TT100-FT |
NS8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KT-7000HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KT-7002HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8MTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel