casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-12CWQ10FNTRPBF
codice articolo del costruttore | VS-12CWQ10FNTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-12CWQ10FNTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-12CWQ10FNTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CWQ10FNTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-12CWQ10FNTRPBF-FT |
VS-6CWQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel