casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-12CWQ10FN-M3
codice articolo del costruttore | VS-12CWQ10FN-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-12CWQ10FN-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-12CWQ10FN-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CWQ10FN-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-12CWQ10FN-M3-FT |
BAT54SWFILM
STMicroelectronics
BAT30SWFILM
STMicroelectronics
BAS70-04WFILM
STMicroelectronics
BAT6404WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT54CWT-TP
Micro Commercial Co
BAT54CWFILM
STMicroelectronics
BAT30CWFILM
STMicroelectronics
BAS70-06WFILM
STMicroelectronics
BAV99WT-TP
Micro Commercial Co
BAT46AWFILM
STMicroelectronics
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel