casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-12CTQ040-M3
codice articolo del costruttore | VS-12CTQ040-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-12CTQ040-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-12CTQ040-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CTQ040-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-12CTQ040-M3-FT |
VS-30CPQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ090GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ090PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ140PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CPQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CPQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CPQ050PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel