casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-125NQ015PBF
codice articolo del costruttore | VS-125NQ015PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-125NQ015PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-125NQ015PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 15V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 430mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 7700pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-125NQ015PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-125NQ015PBF-FT |
D931SH65TXPSA1
Infineon Technologies
BYM11-1000HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel