casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VS-113MT120KPBF
codice articolo del costruttore | VS-113MT120KPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-113MT120KPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-113MT120KPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 110A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | MT-K Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | MT-K |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-113MT120KPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-113MT120KPBF-FT |
VBO30-18NO7
IXYS
VBO36-08NO8
IXYS
VBO36-12NO8
IXYS
VBO36-16NO8
IXYS
VBO36-18NO8
IXYS
VBO50-08NO7
IXYS
VBO50-12NO7
IXYS
VBO50-16NO7
IXYS
VBO50-18NO7
IXYS
VBO54-08NO7
IXYS
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel