casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10TQ045S-M3
codice articolo del costruttore | VS-10TQ045S-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-10TQ045S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10TQ045S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10TQ045S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10TQ045S-M3-FT |
VS-ETU3006SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel