casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10TQ035STRR-M3
codice articolo del costruttore | VS-10TQ035STRR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10TQ035STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10TQ035STRR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10TQ035STRR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10TQ035STRR-M3-FT |
VS-ETU1506STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation