casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-10CTQ150-1PBF
codice articolo del costruttore | VS-10CTQ150-1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10CTQ150-1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-10CTQ150-1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10CTQ150-1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10CTQ150-1PBF-FT |
VI20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation