casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-10AWT10TRRHE3
codice articolo del costruttore | VS-10AWT10TRRHE3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10AWT10TRRHE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10AWT10TRRHE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10AWT10TRRHE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10AWT10TRRHE3-FT |
QRF1230R30
Powerex Inc.
QRF1230T30
Powerex Inc.
QRF1415T30
Powerex Inc.
QRF1420T30
Powerex Inc.
QRF1430T30
Powerex Inc.
QRSB165001
Powerex Inc.
R711
Microsemi Corporation
RFN6B2DTL
Rohm Semiconductor
RJS6004WDPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJS6005WDPK-00#T0
Renesas Electronics America
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel