casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / VQ1001P-E3
codice articolo del costruttore | VQ1001P-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-VQ1001P-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VQ1001P-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 4 N-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 830mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VQ1001P-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VQ1001P-E3-FT |
IRF9395MTR1PBF
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