casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VP0550N3-G-P013
codice articolo del costruttore | VP0550N3-G-P013 |
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Numero di parte futuro | FT-VP0550N3-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VP0550N3-G-P013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 Ohm @ 10mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP0550N3-G-P013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VP0550N3-G-P013-FT |
TN0604N3-G
Microchip Technology
LND150N3-G-P003
Microchip Technology
VN0109N3-G
Microchip Technology
TN5325N3-G
Microchip Technology
VN0104N3-G
Microchip Technology
ZVN4310A
Diodes Incorporated
DN2530N3-G
Microchip Technology
LND150N3-G
Microchip Technology
TP2104N3-G
Microchip Technology
TN0104N3-G
Microchip Technology
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel