casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN2410LZL1G
codice articolo del costruttore | VN2410LZL1G |
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Numero di parte futuro | FT-VN2410LZL1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN2410LZL1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Tc) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2410LZL1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN2410LZL1G-FT |
ZVN2120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN2120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2120ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN2535ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN2535ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2535ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOB
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel