casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN2222LL-G-P013
codice articolo del costruttore | VN2222LL-G-P013 |
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Numero di parte futuro | FT-VN2222LL-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN2222LL-G-P013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta), 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2222LL-G-P013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN2222LL-G-P013-FT |
ZVN3310A
Diodes Incorporated
ZVN4206AV
Diodes Incorporated
VN2222LL-G
Microchip Technology
VP2106N3-G
Microchip Technology
2N7000-G
Microchip Technology
ZVN4210A
Diodes Incorporated
ZVN4306AV
Diodes Incorporated
ZVP3310A
Diodes Incorporated
ZVNL120A
Diodes Incorporated
ZVN3320A
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel