casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN2222LL-G-P003
codice articolo del costruttore | VN2222LL-G-P003 |
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Numero di parte futuro | FT-VN2222LL-G-P003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN2222LL-G-P003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta), 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2222LL-G-P003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN2222LL-G-P003-FT |
ZVP2106ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3310A
Diodes Incorporated
ZVN4206AV
Diodes Incorporated
VN2222LL-G
Microchip Technology
VP2106N3-G
Microchip Technology
2N7000-G
Microchip Technology
ZVN4210A
Diodes Incorporated
ZVN4306AV
Diodes Incorporated
ZVP3310A
Diodes Incorporated
ZVNL120A
Diodes Incorporated
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel