casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / VM2JB10R0
codice articolo del costruttore | VM2JB10R0 |
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Numero di parte futuro | FT-VM2JB10R0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VM |
VM2JB10R0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.846" (21.50mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VM2JB10R0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VM2JB10R0-FT |
RC12JT750R
Stackpole Electronics Inc
RC12JT75K0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT75R0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT7K50
Stackpole Electronics Inc
RC12JT7R50
Stackpole Electronics Inc
RC12JT820R
Stackpole Electronics Inc
RC12JT82K0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT82R0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT8K20
Stackpole Electronics Inc
RC12JT8R20
Stackpole Electronics Inc
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F45I2LN
Intel
5SGXEA4H2F35C2L
Intel
XC4VLX80-10FFG1148C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780I4L
Intel