casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / VM2JB10R0
codice articolo del costruttore | VM2JB10R0 |
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Numero di parte futuro | FT-VM2JB10R0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VM |
VM2JB10R0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.846" (21.50mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VM2JB10R0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VM2JB10R0-FT |
RC12JT750R
Stackpole Electronics Inc
RC12JT75K0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT75R0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT7K50
Stackpole Electronics Inc
RC12JT7R50
Stackpole Electronics Inc
RC12JT820R
Stackpole Electronics Inc
RC12JT82K0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT82R0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT8K20
Stackpole Electronics Inc
RC12JT8R20
Stackpole Electronics Inc
AGLN125V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
XC6VLX240T-1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX066H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F31C5N
Intel