casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / VM10JB33R0
codice articolo del costruttore | VM10JB33R0 |
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Numero di parte futuro | FT-VM10JB33R0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VM |
VM10JB33R0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 33 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.417" (36.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VM10JB33R0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VM10JB33R0-FT |
RC12JT6K20
Stackpole Electronics Inc
RC12JT6K80
Stackpole Electronics Inc
RC12JT6R20
Stackpole Electronics Inc
RC12JT6R80
Stackpole Electronics Inc
RC12JT750R
Stackpole Electronics Inc
RC12JT75K0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT75R0
Stackpole Electronics Inc
RC12JT7K50
Stackpole Electronics Inc
RC12JT7R50
Stackpole Electronics Inc
RC12JT820R
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel