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codice articolo del costruttore | VLS3010ET-2R2M-CA |
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Numero di parte futuro | FT-VLS3010ET-2R2M-CA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-E-CA |
VLS3010ET-2R2M-CA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.7A |
Corrente - Saturazione | 1.2A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 116 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS3010ET-2R2M-CA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS3010ET-2R2M-CA-FT |
3-2176075-4
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
3-2176075-7
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
4-2176075-5
TE Connectivity Passive Product
4-2176075-6
TE Connectivity Passive Product
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation