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codice articolo del costruttore | VLS252010HBX-2R2M-1 |
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Numero di parte futuro | FT-VLS252010HBX-2R2M-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBX-1 |
VLS252010HBX-2R2M-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.76A |
Corrente - Saturazione | 2.3A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252010HBX-2R2M-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS252010HBX-2R2M-1-FT |
MLG0402Q3N5BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N5CT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N5ST000
TDK Corporation
MLG0402Q3N6BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N6CT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N7BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N7CT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N7ST000
TDK Corporation
MLG0402Q3N8BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N8CT000
TDK Corporation
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation