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codice articolo del costruttore | VLS201612HBX-3R3M-1 |
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Numero di parte futuro | FT-VLS201612HBX-3R3M-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBX-1 |
VLS201612HBX-3R3M-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.38A |
Corrente - Saturazione | 1.33A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 209 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201612HBX-3R3M-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS201612HBX-3R3M-1-FT |
MLG0402Q3N9BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N9CT000
TDK Corporation
MLG0402Q4N0BT000
TDK Corporation
MLG0402Q4N0CT000
TDK Corporation
MLG0402Q4N0ST000
TDK Corporation
MLG0402Q4N3HT000
TDK Corporation
MLG0402Q4N3ST000
TDK Corporation
MLG0402Q4N7HT000
TDK Corporation
MLG0402Q5N1HT000
TDK Corporation
MLG0402Q5N1ST000
TDK Corporation
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation