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codice articolo del costruttore | VLS201612ET-1R0N |
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Numero di parte futuro | FT-VLS201612ET-1R0N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS |
VLS201612ET-1R0N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 1.5A |
Corrente - Saturazione | 1.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 93 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201612ET-1R0N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS201612ET-1R0N-FT |
VLS3010ET-100M-CA
TDK Corporation
VLS3012ET-100M-CA
TDK Corporation
VLS3012ET-220M
TDK Corporation
VLS3012ET-470M
TDK Corporation
VLS3012ET-470M-CA
TDK Corporation
VLS3012ET-4R7M
TDK Corporation
VLS3010ET-150M-CA
TDK Corporation
VLS3010ET-1R0N-CA
TDK Corporation
VLS3010ET-1R5N-CA
TDK Corporation
VLS3010ET-220M-CA
TDK Corporation
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel