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codice articolo del costruttore | VLS201610HBX-R33M-1 |
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Numero di parte futuro | FT-VLS201610HBX-R33M-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBX-1 |
VLS201610HBX-R33M-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 330nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.85A |
Corrente - Saturazione | 4.42A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 39 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201610HBX-R33M-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS201610HBX-R33M-1-FT |
MLG0402Q6N8JT000
TDK Corporation
MLG0402Q7N5HT000
TDK Corporation
MLG0402Q7N5JT000
TDK Corporation
MLG0402Q8N2HT000
TDK Corporation
MLG0402Q8N2JT000
TDK Corporation
MLG0402Q9N1HT000
TDK Corporation
MLG0402Q9N1JT000
TDK Corporation
MLD2016S1R5MTD25
TDK Corporation
MLD2012SR47TTD25
TDK Corporation
MLD2016S1R0MTD25
TDK Corporation
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel