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codice articolo del costruttore | VLS201610HBX-3R3M-1 |
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Numero di parte futuro | FT-VLS201610HBX-3R3M-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBX-1 |
VLS201610HBX-3R3M-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | 1.02A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 252 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201610HBX-3R3M-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS201610HBX-3R3M-1-FT |
MLG0402Q3N7BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N7CT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N7ST000
TDK Corporation
MLG0402Q3N8BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N8CT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N8ST000
TDK Corporation
MLG0402Q3N9BT000
TDK Corporation
MLG0402Q3N9CT000
TDK Corporation
MLG0402Q4N0BT000
TDK Corporation
MLG0402Q4N0CT000
TDK Corporation
LFE2-6SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF43I4
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation