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codice articolo del costruttore | VLS2012ET-100M |
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Numero di parte futuro | FT-VLS2012ET-100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS |
VLS2012ET-100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 470mA |
Corrente - Saturazione | 470mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 834 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS2012ET-100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS2012ET-100M-FT |
887FU-122M=P3
Panasonic Electronic Components
875FU-681M=P3
Sumida America Components Inc.
875FU-122M=P3
Murata Electronics North America
824MY-180K
TDK Corporation
682AE-014=P3
EPCOS (TDK)
656LZ-05K=P3
Taiyo Yuden
646FY-471K=P3
Pulse Electronics Power
646FY-181K=P3
Murata Electronics North America
636FY-820M=P3
Bourns Inc.
636FY-680M=P3
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel