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codice articolo del costruttore | VLS2010ET-3R3M |
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Numero di parte futuro | FT-VLS2010ET-3R3M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS |
VLS2010ET-3R3M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 830mA |
Corrente - Saturazione | 830mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 348 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS2010ET-3R3M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS2010ET-3R3M-FT |
824MY-180K
TDK Corporation
682AE-014=P3
EPCOS (TDK)
656LZ-05K=P3
Taiyo Yuden
646FY-471K=P3
Pulse Electronics Power
646FY-181K=P3
Murata Electronics North America
636FY-820M=P3
Bourns Inc.
636FY-680M=P3
Bourns Inc.
300NS-R22M=P2
Panasonic Electronic Components
380NB-68NM=P2
Abracon LLC
300NS-R82M=P2
Taiyo Yuden
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation