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codice articolo del costruttore | VLS2010ET-1R5N |
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Numero di parte futuro | FT-VLS2010ET-1R5N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS |
VLS2010ET-1R5N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | 1.2A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 156 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS2010ET-1R5N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS2010ET-1R5N-FT |
875FU-681M=P3
Sumida America Components Inc.
875FU-122M=P3
Murata Electronics North America
824MY-180K
TDK Corporation
682AE-014=P3
EPCOS (TDK)
656LZ-05K=P3
Taiyo Yuden
646FY-471K=P3
Pulse Electronics Power
646FY-181K=P3
Murata Electronics North America
636FY-820M=P3
Bourns Inc.
636FY-680M=P3
Bourns Inc.
300NS-R22M=P2
Panasonic Electronic Components
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel