casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VIT30L60C-M3/4W
codice articolo del costruttore | VIT30L60C-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VIT30L60C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VIT30L60C-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VIT30L60C-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VIT30L60C-M3/4W-FT |
VS-MURB1020CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ035-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ040-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ045-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel