casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VIT3045CBP-M3/4W
codice articolo del costruttore | VIT3045CBP-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VIT3045CBP-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VIT3045CBP-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VIT3045CBP-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VIT3045CBP-M3/4W-FT |
VI40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel