casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VIT2080C-M3/4W
codice articolo del costruttore | VIT2080C-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VIT2080C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VIT2080C-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VIT2080C-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VIT2080C-M3/4W-FT |
VS-20CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel